在拓扑非微不足道中强烈相互作用的电子可能形成物质的外来阶段。一个特别有趣的例子是分数量子异常的霍尔相,最近在扭曲的过渡金属二核苷和Moir´e石墨烯多层中发现。然而,已证明它在Pentalayer石墨烯中低于100 MK温度下的某些填充因子中不稳定,有利于新型的整数量子量子异常霍尔相[Z. Lu等。,Arxiv:2408.10203]。我们建议在较高温度下稳定分数阶段的罪魁祸首是其丰富的边缘状态结构。在其边缘上具有多种手性模式,由于多余的边缘模式熵,在较高温度下,分数相具有较低的自由能。在这种情况下,我们做出了不同的预测,包括分数熵增强的系统大小依赖性,以及相位边界如何随温度的函数而变化。
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